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신웅철 (한국전자통신연구원) 류상욱 (한국전자통신연구원) 유인규 (한국전자통신연구원) 윤성민 (한국전자통신연구원) 조성목 (한국전자통신연구원) 이남열 (한국전자통신연구원) 유병곤 (한국전자통신연구원) 이원재 (동의대학교) 최규정 (충남대학교)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
발행연도
2003.1
수록면
35 - 35 (1page)

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Recent progress in the integration of the ferroelectric random access memories (FRAM) has attracted much interest. Strontium bismuth tantalate(SBT) is one of the most attractive materials for use in nonvolatile-memory applications due to low-voltage operations, low leakage current, and its excellent fatigue-free property. High-density FRAMs operated at a low voltage below 1.5V are applicable to mobile devices operated by battery. SBT films thinner than 0.1 #m can be operated at a low voltage, because the coercive voltage (Vc) decreases as the film thickness is reduced. In addition, the thickness of the SBT film will have to be reduced so it can fit between adjacent storage nodes in a pedestal type capacitor in future FRAMs.

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