MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

Metal Epitaxial Layer by MBE

Kang ,  T.W.

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )

강태원 ,  이재진 ,  홍치유 외 2명

전자공학회논문지

1986 .03

MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이재진 ,  정관수 외 2명

전자공학회지

1985 .11

MBE에 의한 GaAs Epitaxial Layer 의 Su Doping효과 ( Su Doping Effect in GaAs films Grown by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

전력 MESFET용 3인치 GaAs MBE 에피택셜 기판의 균일도 특성 ( Characteristics of Uniformity of 3＂ GaAs Epitaxial Layer Grown by MBE for Power MESFET Application )

이재진 ,  이해권 ,  맹성재 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

LSI 급 소자 제작을 위한 3 인치 GaAs MBE 에피택셜 기판의 균일도 특성 연구 ( A Study on Characteristics of Si doped 3 inch GaAs EPITAXIAL Layer Grown by MBE for LSI Application )

이재진 ,  이해권 ,  맹성재 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .07

Zn(S, Se) EPITAXIAL LAYERS GROWN ON GaAs(100) BY MOLECULAR BEAM EPITAXY

Leem ,  Jae-Young ,  Son 외 14명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

MBE에 의해 성장한 GaAs에피층의 Hall Effect ( Hall Effect of GaAs Epi-Layer Grown by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  홍치유 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

Si 기판위에 MBE로 성장된 GaAs 박막의 초기성장에 관한 연구

남산 ,  김상기 ,  조경익 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

MBE에 의한 Ge epitaxial layer 성장

임재영 ,  이철로 ,  노삼규 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  신수동 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

MBE로 성장시킨 GaAs/AL0.3Ga0.7As층의 고분해능 투과전자현미경에 의한 연구 ( A High-Resolution Transmission Electron Microscopy Study of MBE Grown GaAs/AL0.3Ga0.7As Layers )

이정용

전자공학회논문지

1989 .08

MBE

강태원

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

MBE로 성장된 $In_{x}Ga_{1-x}As/GaAs(001)$ 이종접합구조의 격자이완에 관한 연구

김창수 ,  노삼규 ,  임재영 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

GaAs Epi층의 온도의존성 ( Substrate Temperature Dependence of GaAs Epitaxial Layer )

강태원 ,  정관수 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

줄 가열 변화에 따른 박막 트랜지스터 내 포논 열 흐름에 대한 수치적 연구

진재식 ,  이준식

대한기계학회 춘추학술대회

2009 .05