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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Cho, Ho-Jin (Department of Inorganic Materials Engineering, Seoul national University)
저널정보
한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제3호
발행연도
1995.1
수록면
1,015 - 1,020 (6page)

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Strontium titanate (SrTiO_3)$ thin films were prepared on silicon(100) and Pt(100nm)/Ti(10nm)/$SiO_2/Si$ substrates by low-pressure organometallic chemical vapor deposition(OMCVD) using $Sr(DPM)_2$ and titanium isopropoxide as the precursors for SrO and $TiO_2$ respectively. The effect of deposition parameters on the growth behavior such as crystallization and microstructure was investigated. With increasing the flow rate of $Sr(DPM)_2$ carrier gas, the interplanar distance of $SrTiO_3$(110) plane increased and microstructure changed from round grains to rather rugged ones. The dielectric constant and dielectric loss of 180nm thick $SrTiO_3$ films at 0V and 100kHz were 170 and 0.04-0.07, respectively.

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