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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제5호
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 210 - 213 (4page)
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The BaTiO3/SrTiO3 heterolayered thick films were fabricated by the screen printing method on alumina substrates. The effect of the sintering temperature on the microstructure and dielectric properties of the BaTiO3/SrTiO3 thick films has been investigated. The relative dielectric constant and dielectric loss at 1 MHz of the BaTiO3/SrTiO3 heterolayered thick films with sintering temperature of 1350 ˚C were about 751 and 1.74, respectively. The remanent polarization (Pr) of the pure (Ba0.5Sr0.5)TiO3 and BaTiO3/SrTiO3 heterolayered films are approximately 5.1 μC/cm2 and 10 μC/cm2. This study suggests that the design of the BaTiO3/SrTiO3 heterolayered thick films capacitor with different phase should be an effective method to enhance the dielectric and ferroelectric performance in devices.
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/ 1989. / Ferroelectric materials for 64 Mb and 256 Mb DRAM 77 (3) : 3 ~
/ 1991. / Ceramic materials for electronics 435
/ 1991. / Electrical and reliability characteristics of lead-zirconate-titanate ferroelectric thin films for DRAM applications 38 : 690 ~
/ 1997. / Phase transition in sol-gel-derived barium titanate thin films 31 (13) : 1527 ~
/ 1997. / The influence of the milling liquid on the properties of barium titanate powders and ceramics 51 (3) : 35 ~
/ 1991. / Ceramic materials for electronics 435
/ 1991. / Electrical and reliability characteristics of lead-zirconate-titanate ferroelectric thin films for DRAM applications 38 : 690 ~
/ 1997. / Phase transition in sol-gel-derived barium titanate thin films 31 (13) : 1527 ~
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