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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
문지현 (한국에너지기술연구원) 김현종 (한국에너지기술연구원) 이정철 (한국에너지기술연구원)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
발행연도
2009.1
수록면
531 - 531 (1page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2009

RF Co-sputtering법에 의한 Si1-xCx 박막 증착 및 후 열처리에 따른 양자점 박막 특성 분석
문지현 ,  김현종 ,  조준식 외 7명 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 2009.06 학술대회자료
RF Sputter로 증착한 $Si_{1-x}$ $C_x$ 박막 내 실리콘 양자점의 광학적 특성평가
문지현 ,  김현종 ,  이정철 한국재료학회 학술발표대회 2009.01 학술대회자료

초록· 키워드

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실리콘 다층박막 태양전지를 위한 초고효율 실리콘 양자점 박막을 연구하기 위해 Silicon target과 Carbon target을 동시에 스퍼터하여 Silicon Carbide 박막을 증착하였다. Silicon Carbide 박막의 조성비는 target에 인가되는 RF Power를 조절하여 Auger Electro Spectroscopy를 사용하여 Si, C, O, N원소의 양을 정량화하여 측정하였다. Si Power를 200W에 고정하고, C Power를 0W에서 400W까지 변화시킬 때, $Si_{1-x}$ $C_x$ 박막에서 조성비 x는 0 ~ 0.43 범위였다. 이 박막을 증착 한 후에 질소 분위기에서 600 ~ $1000^{\circ}C$ 온도로 열처리를 진행하였다. High resolution TEM과 Raman 분석을 통해, 박막의 열처리 후 $Si_{1-x}$ $C_x$ 박막 내에 실리콘 양자점이 형성되었음을 관찰할 수 있었고, 2 ~ 10 nm 의 크기를 가지는 것으로 확인할 수 있었다. 이 실리콘 양자점을 포함한 $Si_{1-x}$ $C_x$ 박막을 적층하여 UV-VIS-NIR spectroscopy, FTIR및 PL와 같은 측정을 통해 광학적 에너지 밴드갭의 변화와 그에 따른 특성을 확인하였다.
#실리콘 양자점 #광학특성 #태양전지 #RF스퍼터

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