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저자정보
이준성 (고려대학교 신소재공학부) 권순우 (대한제당 중앙연구소) 송청호 (미래 컴퍼니) 박성은 (고려대학교 신소재공학부) 박하영 (고려대학교 신소재공학부) 송주용 (고려대학교 신소재공학부) 박효민 (고려대학교 신소재공학부) 윤세왕 (대한제당 중앙연구소) 김동환 (고려대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
발행연도
2009.1
수록면
542 - 542 (1page)

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결정질 실리콘 태양전지의 알루미늄 후면전극이 패시베이션층의 공극을 통하여 확산됨으로써 국부 후면전계(local back surface field)가 형성되는 후면 점접촉 구조를 제조하였으며, 이에 대한 공정조건 및 특성을 연구하였다. 후면 패시베이션층은 실리콘 기판과 금속전극사이에 삽입됨으로써 표면 재결합속도를 낮추고, 후면 반사도를 높여 광흡수 경로를 증가시킬 수 있다. 고가의 사진식각기술 대신에 저가의 단순한 공정인 레이저 식각기술을 사용하여 후면 패시베이션층에 균일하고 잘 정렬된 공극 패턴을 형성할 수 있었다. 레이저 식각 조건 및 소성조건에 따른 Al 확산 국부 후면전계의 단면 형상을 주사전자현미경(SEM)을 사용하여 관찰하였으며 이에 대한 전기적, 광학적 특성 변화를 조사하였다.
#solar cell #silicon #aluminum #back surface field #back contact #laser ablation #passivation

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