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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 1,399 - 1,401 (3page)
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In this article, we reported the results of etching polymonochloro-para-xylylene (parylene-C) thin films using inductively coupled plasma and $CF_4/O_2$ gas mixture. The $CF_4$ gas fraction increased up to the approximately 16 %, the polymer etch rate increased in the range of 277 - 373 nm/min. It confirmed that the etch rate of the parylene-C mainly depended on the O radical density in the plasma. Using a contact angle measurement, the contact angle increased with increasing the $CF_4$ fraction. Moreover, the contact angle was highly related a $CF_x$ functional group on parylene films.
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