Small CMOS Temperature Sensor Using MOSFETs in the Intermediate-Inversion Region

Park, Tai-Soon; Park, Sang-Gyu

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Park, Tai-Soon (Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University) Park, Sang-Gyu (Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display

발행연도: 2009.1

수록면: 1,086 - 1,087 (2page)

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A small temperature sensor is designed in a 0.35um CMOS process. Transistors operating in the intermediate inversion region are employed in the core of the sensor. This temperature sensor operates in $-50^{\circ}C{\sim}120^{\circ}C$ with ${\pm}2^{\circ}C$ of accuracy after two-point calibration. This temperature sensor can be placed in the active pixel area of a display panel to measure the temperature of the display panel for temperature compensation.

#Temperature Sensor #Intermediate-Inversion Region #Small Size CMOS #MOSFET #OLED

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Park, Tai-Soon

소속기관 Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 1 이용수 1

Park, Sang-Gyu

소속기관 Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 2 이용수 1

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