Energy Level Alignment between Hole Injecting HAT-CN and Metals and Organics: UPS and ab-initio Calculations

Kang, H.; Kim, J.H.; Kim, J.K.; Kwon, Y.K.; Kim, J.W.; Park, Y.

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저자정보: Kang, H. (Dept. of Physics, Kyung Hee University) Kim, J.H. (Dept. of Physics, Kyung Hee University) Kim, J.K. (Dept. of Physics, Kyung Hee University) Kwon, Y.K. (Dept. of Physics, Kyung Hee University) Kim, J.W. (Korea Research Institute of Standards and Science) Park, Y. (Dept. of Physics, Kyung Hee University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display

발행연도: 2009.1

수록면: 108 - 111 (4page)

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We have determined the electronic energy level alignment at the interface between 4,4'-bis-N-phenyl-1-naphthylamino biphenyl (NPB) and 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (HAT-CN) using ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS). The highest occupied molecular orbital (HOMO) of 20 nm thick HAT-CN film was located at 3.8 eV below the Fermi level. Thus the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) is very close to the Fermi level. The HOMO position of NPB was only about 0.3 eV below Fermi level at NPB/HAT-CN interface. This enables an easy excitation of electrons from the NPB HOMO to the HAT-CN LUMO, creating electron-hole pairs across this organic-organic interface. We also study the interaction of HAT-CN with a few metallic surfaces including Ca, Cu, and ITO using UPS and ab-inito electronic structure calculation techniques.

#UPS #interface #metal/organic #carrier injection #charge transfer

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