MBE로 성장된 $In_{x}Ga_{1-x}As/GaAs(001)$ 이종접합구조의 격자이완에 관한 연구

김창수 ,  노삼규 ,  임재영 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이재진 ,  정관수 외 2명

전자공학회지

1985 .11

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장 ( GaAs Epilayer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이문기 ,  김봉열 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy )

정관수 ,  정학기 ,  이문기 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

Photoreflectance Measurement in Si₃N₄/Al_0.21Ga_0.79As/GaAs Heterostructure

Jae-In Yu ,  Hun-Bo Pa ,  k 외 3명

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2005 .04

GaAs/$Al_{x}Ga_{1-x}As$/GaAs 이종구조 위에 구성된 Schottky 다이오드의 전기적 특성에 관한 연구

최영환 ,  이원섭 ,  최광수

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

분산 트랜잭션 처리를 위한 XA 인터페이스의 구현 방안

박기은 ,  강현철

데이타베이스연구

1993 .12

MOCVD 법으로 성장시킨 ${Al_x}{Ga_{1-x}N}$ 박막의 특성분석

김성익 ,  김석봉 ,  박수영 외 3명

한국재료학회지

2000 .01

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

GaAs-AI GaAs Multi-Quantum Well Laser ; MBE Growth and Characterization ( GaAs-AlGaAs Multi-Quantum Well Laser : MBE Growth and Characterization )

우덕하 ,  이정승 ,  김대욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

상용 빔 프로젝터에서 추출한 XGA급 공간광변조기 구현 및 위상형 코드 다중화 실험

이상은 ,  박정일 ,  김은수

한국통신학회 학술대회논문집

2004 .07

X/Open DTP 기반 증권사 트레이딩 시스템에서의 XA/Non-XA인터페이스 방법

김용태 ,  변창우 ,  박석

정보과학회논문지 : 컴퓨팅의 실제 및 레터

2003 .10

반도체 이종구조 GaSb / GaAs ( 001 ) 에서의 격자부정합 완화

강준모 ,  민석기 ,  A. Roche

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Si 기판위에 MBE로 성장된 GaAs 박막의 초기성장에 관한 연구

남산 ,  김상기 ,  조경익 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

Investigation of Al_xGa_1-xAs/GaAs Heterostructure by Annealing at 300~800℃

Jae-In Yu ,  Hun-Bo Pa ,  k 외 4명

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2005 .10

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )

강태원 ,  이재진 ,  홍치유 외 2명

전자공학회논문지

1986 .03