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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 528 - 533 (6page)
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본 연구에서는 미스트화학기상증착시스템을 이용한 (AlxGa1-x)2O3 박막을 사파이어 기판 위에 성장하였다. Ga과 Al 전구체를 포함하는 수용액의 혼합비를 0~4.0까지 혼합하여 이에 대한 물성을 측정하였다. 전구체 수용액의 혼합비를 증가시킴에 따라 성장률이 크게 감소하는 반면, 표면은 3차원 성장모드가 진행되어 표면이 거칠어졌다. XRD 측정 결과 성장된 박막은 α-(AlxGa1-x)2O3 형태의 커런덤(corundum) 구조를 유지하였다. 박막의 조성은 8~13%에서 분포하고 있음을 확인하였다. 이에 따라, 광학적으로 측정된 밴드갭은 Al 조성비를 증가시킴에 따라 5.18 eV에서 5.38 eV까지 점차 증가하는 것을 확인하였다.
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참고문헌 (14)
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J. Y. Tsao / 2018 / Ultrawide-Bandgap Semiconductors: Research Opportunities and Challenges / Advanced Electronic Materials 4(1):1600501
Tamura Corporation / Standard Specifications of Gallium Oxide Substrates
Rustum Roy / 1952 / Polymorphism of Ga2O3 and the System Ga2O3—H2O / Journal of the American Chemical Society 74(3):719~722
Shizuo Fujita / 2016 / Evolution of corundum-structured III-oxide semiconductors: Growth, properties, and devices / Japanese Journal of Applied Physics 55(12):1202A3
Masaya Oda / 2016 / Crack-free thick (∼5 µm) α-Ga2O3 films on sapphire substrates with α-(Al,Ga) 2O3 buffer layers / Japanese Journal of Applied Physics 55(12):1202B4
Tamura Corporation / Standard Specifications of Gallium Oxide Substrates
Rustum Roy / 1952 / Polymorphism of Ga2O3 and the System Ga2O3—H2O / Journal of the American Chemical Society 74(3):719~722
Shizuo Fujita / 2016 / Evolution of corundum-structured III-oxide semiconductors: Growth, properties, and devices / Japanese Journal of Applied Physics 55(12):1202A3
Masaya Oda / 2016 / Crack-free thick (∼5 µm) α-Ga2O3 films on sapphire substrates with α-(Al,Ga) 2O3 buffer layers / Japanese Journal of Applied Physics 55(12):1202B4
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