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학술저널
저자정보
Sunghyun Sohn (Defense Agency for Technology and Quality) Daewon Kim (Defense Agency for Technology and Quality) Hongpyo Kim (Defense Agency for Technology and Quality) Namhyun Kang (Pusan National University)
저널정보
대한용접·접합학회 대한용접·접합학회지 大韓熔接·接合學會誌 第38卷 第2號
발행연도
2020.4
수록면
158 - 165 (8page)

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Wide band gap (WBG) power semiconductors have superior properties and accordingly demand for WBG semiconductors has grown recently in various fields, including national defense applications. Since WBG power semiconductors operate in high temperature conditions, interconnects with high temperature reliability are required. Transient liquid phase bonding (TLPB) is emerging as one of the die attach technologies for WBG power semiconductors. However, TLPB has drawbacks, such as long bonding times and void formation. We investigated various methods to address the shortcomings of TLPB, and determined TLPB time can be reduced and void formation can be suppressed through the development of process and interlayer design. This study describes the principles, strengths and weaknesses of each process and interlayer material design.
#Transient liquid phase bonding #Die attach #Power semiconductors #Wide band gap #Interlayer design

목차

Abstract
1. Introduction
2. Process development to reduce TLPB time
3. Interlayer design to reduce TLPB time
4. Conclusions
References

참고문헌 (35)

참고문헌 신청
B. K. Bose / 1992 / Evaluation of Modern Power Semiconductor Devices and Future Trends of Converters / IEEE Trans. Ind. Appl 28(2):403~413 Crossref C. Buttay / 2011 / State of the art of high temperature power electronics / Mater. Sci. Eng. B: Solid-State Mater. Adv. Technol 176(4):283~288 Crossref 이정현 / 2018 / WBG 전력반도체 최신 기술 및 동향 / 마이크로전자 및 패키징학회지 25(4):17~23 dbpia T. Ericsen / 2002 / Future navy application of wide bandgap power semiconductor devices / Proceedings of the IEEE 90(6):1077~1082 Crossref S. W. Yoon / 2013 / Nickel-tin transient liquid phase bonding toward high-temperature operational power electronics in electrified vehicles / IEEE Trans. Power Electron 28(5):2448~2456 google schola

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