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이용수
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
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Measurement and Applications with a Positron Annihilation technique
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동시계수 도플러 방법과 양전자 수명 분광법에 의한 BaSrFBr:Eu의 결함 연구
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Positron Annihilation Study of Vacancy Type Defects in Ti, Si, and BaSrFBr:Eu
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동시계수 양전자 소멸 측정에 의한 양성자 조사된 Si 구조 특성
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2011 .09
양전자 소멸 측정에 의한 n, p형 실리콘 구조 특성
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2012 .09
양전자 소멸 측정에 의한 n, p형 실리콘에서의 결함 측정
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양전자 소멸 측정을 이용한 발광 박막 구조 결함 특성
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2013 .09
양전자 소멸 측정법으로 양성자 조사에너지 변화에 대한 n, p형 실리콘 구조 특성
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2013 .11
동시계수 양전자 소멸 측정을 이용한 Cz-Si 구조 특성
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2010 .11
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2008 .03
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양전자 소멸 분광법을 이용한 Gd₂O₂S : Tb 결함 특성
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2004 .06
양전자를 이용한 반도체 박막의 결함 특성연구
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2005 .02
양전자 소멸 방법에 의한 Gd₂O₂S : Tb screens 결함 특성
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2006 .02
수십 MeV 양성자빔을 이용한 금속나노입자 제조 기술 및 장치
한국진공학회 학술발표회초록집
2011 .02
양성자 자기회전비율 측정에 관한 연구
한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집
1991 .11
저속 양전자를 이용한 도체 반도체 박막성장의 특성 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2002 .02
양전자 소멸 Auger 전자에너지 측정을 위한 TOF 시스템의 에너지 분해도 향상에 관한 이론적 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2008 .08
양전자 이용 물질의 표면 및 계면 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2010 .08
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