양전자소멸 방법으로 X선 조사에 의해 (Ba,Sr)FBr : Eu 형광 물질에 생성되는 결함 측정

이종용; 배석환; 김재홍; 권준현

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 이종용 (한남대학교) 배석환 (건양대학교) 김재홍 (원자력의학원) 권준현 (원자력연구소)

저널정보: 한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한국진공학회 제36회 동계학술대회 초록집

발행연도: 2009.2

수록면: 134 - 134 (1page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (8)

2012

양전자 소멸 측정에 의한 n, p형 실리콘 구조 특성

이종용 Applied Science and Convergence Technology 2012.09 학술저널

2009

양전자소멸 방법으로 X선 조사에 의해 (Ba,Sr)FBr : Eu 형광 물질에 생성되는 결함 측정

이종용 , 배석환 , 김재홍 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2009.02 학술대회자료

양전자 소멸 측정법에 의한 형광물질의 결함 연구

이종용 , 권준현 , 배석환 한국재료학회 학술발표대회 2009.01 학술대회자료

2006

양전자 소멸 방법에 의한 Gd₂O₂S : Tb screens 결함 특성

이종용 , 김재홍 , 김석규 한국진공학회 학술발표회초록집 2006.02 학술대회자료

GdOS：Tb의 동시 계수 도플러 양전자 소멸법에 의한 결함 특성

이종용 , 배석환 , 김재홍 외 1명 한국재료학회지 2006.01 학술저널

양전자 소멸 측정법을 이용한 영상 형광체의 결함 연구

이종용 , 김재홍 , 전권수 한국재료학회 학술발표대회 2006.01 학술대회자료

2004

양전자 소멸 분광법을 이용한 Gd₂O₂S : Tb 결함 특성

이종용 , 김창규 Applied Science and Convergence Technology 2004.06 학술저널

1996

양전자 소멸 분광에 의한 실리콘에서의 결함 측정

이종용 , 박태성 , 최선웅 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1996.01 학술대회자료

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Chong Yong Lee

소속기관 한남대학교

주요연구분야 자연과학 > 물리학

논문수 21 이용수 326

배석환

소속기관 건양대학교

주요연구분야 자연과학 > 물리학 공학 > 공학 일반

논문수 22 이용수 2,501

김재홍

소속기관 기초과학연구원

주요연구분야 자연과학 > 물리학 공학 > 전기전자공학 > 정보통신공학

논문수 55 이용수 1,341

권준현

소속기관 한국원자력연구원

주요연구분야 자연과학 > 물리학 공학 > 재료·에너지공학 > 원자력공학

논문수 9 이용수 116

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