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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제17권 제5호
발행연도
2008.9
수록면
473 - 480 (8page)

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화학기상증착법과 Ni 나노입자 배열을 이용한 탄소나노튜브의 최적 성장 조건을 연구했다. Ni 입자의 크기를 변화시키는 방법으로 탄소나노튜브의 직경을 20 ㎚ 이하까지 제어할 수 있었다. 개별 Ni 입자의 크기와 위치는 기존의 식각법 등을 이용하여 웨이퍼 수준의 대면적에서 연속적으로 제어가 가능하였다. 성장온도, 탄소원, 희석가스 등의 비율을 최적화 함으로써 SiO₂/Si 웨이퍼의 넓은 면적에서 각 Ni 입자로부터 단 한 개씩의 탄소나노튜브가 100% 확률로 성장 가능하다는 것을 보였다. 탄소나노튜브의 위치, 직경, 벽두께 등의 특성들은 성장조건을 조정하여 제어가능하다는 것을 보였다.
#Carbon nanotube #Controlled growth #Nanoparticle #Chemical vapor deposition #탄소나노튜브 #제어된 성장 #나노입자 #화학기상증착

목차

Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results
Ⅳ. Conclusions
Acknowledgments
References

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