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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제17권 제2호
발행연도
2008.3
수록면
90 - 95 (6page)

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본 연구에서는 열 및 불산을 이용한 후처리 공정이 레지스트층을 이용하여 제작된 탄소나노튜브의 전자 방출 특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 전자 방출 전류는 초기에 8V/㎛의 전계에서 4.2㎂/㎠의 전류에서 열 및 불산 처리 시 각각 7.5㎃/㎠ 및 79㎃/㎠로 향상되었다. 하지만 열 및 불산 처리를 동시에 실시한 경우 전류 밀도는 426㎃/㎠ 및 656㎃/㎠ 로 향상된 전자 방출 특성을 얻을 수 있었다. 전자 방출 특성은 처리 순서에 따라 증가하는 양이 다르게 나타났으며, 가장 우수한 전자 방출 특성은 열 처리를 먼저 시행 후, 불산 처리를 하는 공정에서 나타났다. 이는 열 처리에 의한 탄소나노튜브의 결정성의 증가와 이후 불산 처리에 의한 불소 결합의 증가에 기인함을 알 수 있었다. 강한 불소 결합은 탄소나노튜브 에미터의 전자 방출 특성의 향상에 크게 기여를 하였다.
#탄소나노튜브 #열 처리 #불산 처리 #RAP #전자 방출 #carbon nanotube #thermal treatment #hydro fluoric acid treatment #resist-assisted patterning #electron emission

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (5)

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1. [기타자료] - S. Iijima / 1991 / Nature 354, 56-58 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Y. Saito, K / 1999 / / Appl. Surf. Sci 146 : 305 ~ 311 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - K. C. Park / 2007 / / J. Vac. Sci. Technol 1261 google schola 4. [기타자료] - K. S. Kim / 2007 / Sci., online published DOI : 10.1007 / s10854-007-9463-6 google schola 5. [기타자료] - R. S. Lee / 1997 / Nature 388, 255-257 google schola

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