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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.11
- 수록면
- 414 - 423 (10page)
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FED(Field Emission Display)는 특히 소형, 고품질 평면화면분야에서 종래의 기술들과 뚜렷이 구별되는 이점을 가지고 있다. FED를 실리콘 웨이퍼에 System-on-Chip(SoC)화하는 가능성을 검토하기 위해, 우리는 p-n 접합을 평면 디스플레이의 전자선원(electron beam source)으로 사용할 수 있는지를 실험하였다. Cantilever(외팔보)형 게이트로부터의 전계로 반전층을 형성하여 p-n 접합을 형성하는 새로운 구조를 제조하였다. 약 1 ㎛ 정도의 높이에 있는 cantilever형 게이트에 220V 이상의 전압을 가했을 때 반전층(inversion layer)이 형성되었고, 애벌런치 항복이 성공적으로 이루어졌다. 극히 얕은 p-n 접합에서 애벌런치 항복 시 관측되는 전자방출 효과와 그 특성이 비교되었고 실험결과와 향후 연구방향이 논의 되었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자1의 특성(극히 얕은 접합형)
Ⅲ. 소자2의 특성(반전층형)
Ⅳ. 결과 및 논의
Ⅴ. 결론
감사의 글
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