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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제16권 제1호
발행연도
2007.1
수록면
40 - 45 (6page)

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본 연구에서는 광전자 소자에 폭넓게 사용되는 ZnCdSe 화합물 반도체의 end-point인 CdSe의 유전함수 spectrum을 Vacuum Ultra Violet spectroscopic ellipsometry(타원편광분석법) 측정하여 분석하였다. 측정 결과는 변수화 모델을 이용하여 분석하였으며 그 결과 6 eV 이상에 존재하는 전자전이점들을 확인할 수 있었고 CdSe의 Critical Point(CP) 구조를 수치화함으로써 온도나 화합물 함량에 따른 광특성 의존성 연구 등에 활용될 수 있는 database를 확보하였다.
#CdSe #타원편광분석기 #매개변수 #반도체 #모델 #유전함수 #ellipsometry #Parametric model #VUV SE #Dielectric function

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (3)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - / 2000 / Guide to Using WVASE32 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / 1969 / Modulation Spectroscopy google schola 3. [학술지(정기간행물)] - / 1980 / Handbook on Semiconductors google schola

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