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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제4호
발행연도
2006.7
수록면
367 - 373 (7page)

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비스무스의 녹는점보다 3도 낮은 온도인 268℃ 에서 후열처리를 하여 비스무스 박막에서 자기저항의 큰 증가를 관측하였다. 레드텔러라이드/케드뮴텔러라이드 기판 위에서는 온도 5 K, 자기장 5 T 하에서 190에서 260으로, 마이카 기판위에서는 620에서 120으로 자기저항의 큰 증가를 나타내었다. 이러한 자기저항의 큰 증가는, 열처리에 따른 결정도의 향상에 기인한 것으로 보인다. 하지만 일정 시간 이상의 오랜 시간의 열처리는 자기저항을 감소시키는 것으로 관측되었다.
#Bismuth film #Magneto resistance #Post annealing #비스무스 박막 #자기저항 #후열처리

목차

영어 초록
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Bi Films on PbTe/CdTe
Ⅲ. Bi on Mica Substrate
Acknowledgements
References
한국어 초록

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