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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이승윤 (한밭대학교) 박영삼 (한국전자통신연구원)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제19권 제2호
발행연도
2010.3
수록면
155 - 160 (6page)

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상변화 메모리 소자 제작 공정의 단위 스텝인 최종 열처리의 온도가 상변화 메모리 소자 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. Ge₂Sb₂Te? (GST) 박막을 활성 물질로 하는 기공(pore) 구조의 단위 상변화 메모리 소자를 제작하고, 160℃에서 300℃까지의 온도 범위에서 최종 열처리를 실시하였다. 상변화 메모리 소자의 SET 저항에서 RESET 저항으로의 셀 저항 변화 양상은 최종 열처리 온도에 따라 큰 차이를 나타내었다. 정상적인 상변화 메모리 동작 특성을 얻을 수 있는 임계 열처리 온도가 존재하며, 열처리 온도가 그 온도에 비해 상대적으로 높거나 낮은 경우에는 소자가 오동작하거나 불안정하게 동작하는 것을 확인하였다. 이러한 열처리 온도의 효과는 열에너지에 따른 상부전극-GST 박막-발열층 다층 구조의 열적 안정성과 밀접한 관련이 있는 것으로 보인다.
#칼코겐화물 #상변화 메모리 #열처리 #온도 #레이아웃 #Chalcogenide #Phase-change memory #Annealing #Temperature #Layout

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (7)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - 정성웅 / 2007 / 메모리 기술 한계와 STT-MRAM / 전자공학회지 34 (7) : 77 ~ 89 dbpia 2. [학술지(정기간행물)] - 박영삼 / 2008 / 고체 전해질 메모리 소자의 연구 동향 / 한국진공학회지 17 (4) : 253 ~ 261 dbpia 3. [학술지(정기간행물)] - A. Pirovano / 2004 / / IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 4 : 422 ~ google schola 4. [보고서] - N. Yamada / 1989 / : 110 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - S.-Y. Lee / 2007 / / J. Vac. Sci. Technol. B 25 : 1244 ~ google schola

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