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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제14권 제4호
발행연도
2005.12
수록면
207 - 214 (8page)

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본 연구에서는 스위치, 위상변위기, 감쇄기등 전파제어회로를 설계 및 제작할 수 있는 pHEMT 스위치 소자에 적합한 에피구조를 설계하였다. 고성능의 스위치 소자를 위한 pHEMT 채널층 구조는 이중 면도핑층을 가지며 사용 중 게이트 전극의 전계강도가 약한 깊은 쪽 채널층의 Si 면농도가 상층부보다 약 1/4정도 낮을 경우 격리도등 우수한 특성을 보였다. 설계된 에피구조와 ETRI의 0.5㎛ pHEMT MMIC 공정을 이용하여 2.4GHz 및 5㎓ 대역 표준 무선랜 단말기에 활용 가능한 SPDT Tx/Rx MMIC 스위치를 설계 및 제작하였다. 제작된 SPDT형 스위치는 주파수 6.0 ㎓, 동작전압 0/-3V에서 삽입손실 0.849 dB, 격리도 32.638 ㏈, 그리고 반사손실 11.006 ㏈의 특성을 보였으며, 전력전송능력인 P1㏈는 약 25dBm, 그리고 선형성의 척도인 IIP3는 42 dBm 이상으로 평가되었다. 이와 같은 칩의 성능은 본 연구에서 개발된 SPDT 단일고주파집적회로 스위치가 2.4㎓ 뿐만 아니라 5㎓ 대역 무선랜 단말기에 활용이 충분히 가능함을 말해준다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 에피구조 설계 및 스위치 회로 제작

3. 스위치 회로의 특성 및 토의

4. 결론

참고문헌

참고문헌 (1)

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[학술지(정기간행물)] - / 2002 / RF and Microwave Circuit and Component Design for Wireless Systems 7. google schola

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