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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2000.5
- 수록면
- 162 - 166 (5page)
이용수
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플라즈마 화학증착법(plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)을 이용하여 양질의 Si₃N₄ 금속-유전막-금속(Metal-Insulator-Metal, MIM) 커패시터를 구현하였다. 유전체인 Si₃N₄와 전극인 Al의 계면반응을 억제시키기 위해 티타늄 나이트라이드(TiN)를 확산 장벽으로 사용한 결과 MIM 커패시터의 전극과 유전체 사이의 계면에서는 어떠한 hillock이나 석출물도 관찰되지 않았다. 커패시턴스와 전류-전압 특성분석으로부터 양질의 MIM 커패시터 특성을 보이는 Si₃N₄의 최소 두께는 500 Å이며, 그 두께 미만에서는 대부분의 커패시터가 전기적으로 단락되어 웨이퍼 수율이 낮아진다는 사실을 알 수 있었다. 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope, TEM)을 이용한 단연 미세구조 관찰을 통해 Si₃N₄층의 두께가 500 Å 미만인 커패시터의 경우에 TiN과 Si₃N₄의 계면에서 형성되는 슬릿형 공동(slit-like void에 의해 커패시터의 유전특성이 파괴된다는 사질을 알게 되었으며, 열 유기 잔류 응력(thermally-induced residual stress) 계산에 기초하여 공동의 형성 기구를 규명하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과
4. 고찰
5. 결론
참고문헌
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