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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제1호
발행연도
1998.2
수록면
35 - 42 (8page)

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100 keV O^+ 이온 빔에 의해 형성된 separation by implanted oxygen(SIMOX) silicon on insulator (SOI)의 열처리 전후의 계면 구조를 high resolution transmission electron microscopy(HRTEM)을 이용하여 관찰하였다. 실리콘에 주입 온도 550℃에서 ~5×10^(17) ㎝-² O^+를 주입한 직후의 계면은 매우 거칠고 산화물 석출, stacking fault, coesite SiO₂상 석출물 등 여러 가지 형태의 결함들을 가지고 있었다. 반면, 이것을 1300℃에서 열처리한 후의 계면은 매우 편편하고 잘 정의된 계면으로 변하였다. 열처리후의 계면은 HRTEM을 통해서 3 keV O₂^+ 이온 빔에 의해 형성된 산화막 계면, 그리고 게이트 산화막으로 사용되는 ~6 ㎚ 열 산화막 계면과 비교하여 볼 때 비슷한 수준의 roughness를 보여 주었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

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