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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제1권 제2호
발행연도
1992.6
수록면
254 - 258 (5page)

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Iodine 화학수송법으로 성장한 Ni-doped CdGa₂Se₄와 undoped CdGa₂Se₄ 단결정의 PL 및 PLE 스펙트럼을 조사하였다. Undoped CdGa₂Se₄ 단결정의 PL 스펙트럼에서는 전도대아래 준 연속적으로 분포된 electron trap과 deep donor level, 그리고 가전자대 위 0.07 eV, 0.12 eV에 있는 acceptor level 사이의 전자전이에 의한 2개의 emission band를 2.13 eV와 1.20 eV 영역에서 관측하였으며, Ni-doped 단결정에서는 Ni^(2+) 이온의 여기상태 ³T₁ (³P)와 바닥상태 ³T₁ (³F) 사이의 전자전이에 의한 emission band를 1.48 eV 영역에서 관측하였다. 이러한 결과로부터 제안된 CdGa₂Se₄의 energy band model은 본 연구의 PL mechanism을 설명하는데 가능함을 보여주었다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Experimental Procedure

3. Results and Discussion

4. Conclusion

Acknowledgements

References

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