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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제2호
발행연도
1999.5
수록면
165 - 171 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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CH₄와 H₂의 혼합가스에 미량의 질소와 산소를 첨가하여 rf플라즈마 CVD법으로 DLC막을 합성하였다. CH₄와 H₂의 혼합기체 내에서의 CH₄:H₂의 유량비는 2.4:1이였으며, 여기에 3%의 산소와 3%, 13.6%의 질소를 각각 첨가하여 막을 성장시켰다. 질소의 첨가량이 3%에서 13.6%로 증가됨에 따라 막의 stress가 감소함을 보였는데, 이것은 질소의 첨가에 의하여 탄소사이의 연결고리가 감소함에 기인하는 것으로 사료된다. 한편, 3%의 O₂를 첨가한 경우에는 잔류응력이 약간 감소하는 경향을 보였다. 또한, TiN과 DLC간의 접착강도를 알아보기 위하여 TiN 막을 수소 direct plasma로 전처리한 후 여러 조건에서 DLC 막을 합성하여 scratch test를 실시하였다. 질소, 산소 등의 보조가스를 첨가하여 증착한 막은 그렇지 않은 막과 비교할 때 전체적으로 접착 강도가 더 높은 것으로 나타났다. 3% 질소를 첨가한 경우가 13.6%의 질소를 첨가한 경우보다 약간 더 높게 나타났으며, 산소를 첨가한 경우에도 첨가하지 않은 경우보다 접착강도가 약간 더 높은 경향을 나타내었다. DLC 막의 경도는 평균 1100 Hv 정도의 값을 나타냈다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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