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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제13권 제1호
발행연도
2004.3
수록면
9 - 13 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2004

초고진공환경에서 제작된 perylene 박막 트랜지스터의 특성
박대식 ,  강성준 ,  김희중 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2004.03 학술저널

2003

초고진공 환경에서 제작된 perylene 박막 트랜지스터의 특성
박대식 ,  강성준 ,  김희중 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2003.08 학술대회자료

초록· 키워드

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본 연구에서는 P 형과 N 형의 특성을 모두 갖추 것으로 알려진 perylene의 특성을 연구하였다. 특히 구조적 특성과 전기적 특성 향상을 위하여 초고진공 상태에서 SiO₂ 기판 위에 perylene 박막을 제작하였는데 증착 속도에 따른 박막의 특성 향상 여부를 살펴보기 위하여 0.1 Å/s 와 1 Å/s로 변환시켜가며 박막을 제작하였다. 박막의 결정성과 표면 특성은 X-선 회절과 원자 간력 현미경을 이용하여 살펴보았는데, 1 Å/s로 증착된 perylene박막이 더 우수한 결정성과 표면 분포를 보였다. 박막의 전기적 특성 확인을 위하여 heavily doped 실리콘 기판 위에 SiO₂와 gold를 이용한 perylene 박막 트랜지스터를 제작하였다. 얻어진 perylene 박막 트랜지스터는 P 형의 반도체적 성질을 나타내었으며, 전류-전압 특성 곡선을 이용하여 2.23×10^(-5) ㎠/Vs 의 전하 이동도를 얻었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

참고문헌

참고문헌 (1)

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[학술지(정기간행물)] - / / Semiconductor for Physics & Devices : 457 ~ google schola

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