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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제2호
발행연도
1993.6
수록면
255 - 260 (6page)

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Si₃N₄와 SiO₂ 박막을 고순도로 생장시키기 위하여 UHV-LCVD 장치를 제작하였다. 이 장치는 CVD 반응실, 시료주입 장치, 가스주입 장치, 광여기를 위한 레이저 창, 질량분석 장치로 구성되어 있다. UHV-LCVD 는 low pressure, low vacuum CVD에 비해 제작상의 어려움이 따르나 초고진공 분위기에서 반응 가스의 양을 정확히 조절하여 고순도의 박막을 제작할 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 장치제작

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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