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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제1호
발행연도
1994.3
수록면
122 - 129 (8page)

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MWPECVD법으로 CH₃CHO-H₂계와 CH₄H₂-O₂계로부터 Si기판 위에 다이아몬드박막을 성장시키고, 성장된 박막을 SEM, XRD 및 Raman 분광기로 평가하고, 박막과 입자의 성장율을 조사하였다. 마이크로파전력 950W, 반응관압력 80 torr, 수소유량 200 sccm, 기판온도 950℃ 및 CH₃CHO 농도 3.5%로 5시간 성장시킨 다이아몬드의 박막성장율은 4 ㎛/hr가 되었고, 12%＜O₂/CH₃CHO＜14%의 산소농도에서 비다이아몬드상 탄소성분을 가장 효과적으로 에칭할 수 있음을 추정할 수 있었다. 마이크로전력 800 W, 반응관압력 80 torr, 수소유량 80 sccm, 메탄농도 7%, O₂/CH₄ 농도 40% 및 기판온도 960℃로 Si기판 위에 5시간 성장시킨 다이아몬드의 박막성장율은 3.2 ㎛/hr가 되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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