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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제4호
발행연도
2002.12
수록면
212 - 217 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2011

트렌치 게이트 Power MOSFET의 고신뢰성 게이트 산화막 형성 연구
김상기 ,  유성욱 ,  구진근 외 5명 한국진공학회 학술발표회초록집 2011.02 학술대회자료

2009

Sidewall 산화막을 이용한 고밀도 트렌치게이트 power MOSFET 제작
김상기 ,  김용구 ,  박건식 외 5명 한국진공학회 학술발표회초록집 2009.02 학술대회자료

2002

수소 열처리를 이용한 고신뢰성 트렌치 게이트 MOSFET
김상기 ,  노태문 ,  박일용 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 2002.12 학술저널
수소 열처리를 이용한 고신뢰성 트렌치 게이트 MOSFET
김상기 ,  노태문 ,  박일용 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 2002.06 학술대회자료

초록· 키워드

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고신뢰성 트렌치 게이트 MOSFET을 제작하기 위해 트렌치 코너를 pull-back 공정과 수소 열처리 공정을 이용하여 트렌치 코너를 둥글게 만드는 기술을 개발하였고 이를 이용하여 균일한 트렌치 게이트 산화막을 성장시킬 수 있었다. 그 결과 수소 열처리 하기 전에 항복전압이 29 V인 것이 수소 열처리한 후 약 36 V로 증가하여 항복 전압에서 약 25% 향상되었다. 그리고 트렌치 게이트를 이용한 MOSFET에서 트렌치 셀이 약 45,000개 일 때 게이트와 소스에 10 V를 인가했을 때, 드레인 전류는 약 45.3 A를 얻었고, 게이트 전압의 10 V, 전류를 5 A를 인가한 상태에서 On-저항은 약 55 mΩ 얻었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

참고문헌 (0)

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