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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제3(2)호
발행연도
1999.8
수록면
308 - 314 (7page)

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MBE법에 의해 성장된 GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As 다중 양자우물 적외선 광검출기 구조를 특성화하기 위하여 Photoreflectance 측정을 이용하였다. GaAs와 AlGaAs 영역에서 에너지 띠 관련 전이들을 관찰하고, Sek 등이 제안한 조성식을 이용하여 Al 조성(x)을 결정하였다. 다중 양자우물에 관련된 전이에너지 값은 Gaussian 1차 미분 피팅 결과와 네모난 양자우물 모델 적용으로 파동함수 근사식을 통해 구한 이론 값들과 비교하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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