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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제3호
발행연도
1994.9
수록면
360 - 367 (8page)

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Si₂H_6-PH₃ 혼합기체를 사용하여 증착된 in-situ P-doped 비정질 실리콘과 SiH₄ 기체를 사용하여 증착한 후에 As^+ 이온주입에 의해 도핑시킨 다결정 실리콘 박막을 하부전극으로 하는 캐패시터를 형성하였다. 여기서 유전박막층은 자연산화막, 화학증착된 실리콘질화막 및 질화막의 산화에 의해 형성된 O-N-O 구조를 갖는 것이었다. 두 종류의 하부전극에 따른 캐패시터의 전기적 특성을 조사하였다. 전기적 특성으로는 정전용량, 누설전류, 절연파괴전압 및 TDDB 등이었다. 이 가운데 정전용량, 누설전류 및 절연파괴전압은 하부전극에 따라 큰 차이를 보이지 않았다. 그러나 음의 전장 하에서의 TDDB 특성은 in-situ P-doped 비정질 실리콘이 하부전극인 캐패시터가 As^+ 이옹주입 실리콘이 하부전극인 것에 비해 더 우수하였다. 이와 같은 TDDB 특성의 차이는 하부전극 실리콘의 integrity 차이로 인한 자연산화막의 결함 정도의 차이에 기인하는 것 같다. 이를 뒷받침하는 것으로 표면에 접하는 결정립계의 밀도와 표면 조도를 들 수 있으며, 이들의 차이를 주사전자현미경 표면사진과 투과전자현미경 단면사진으로 확인하였다. Shallow junction을 유지하는데도 in-situ P-doped 비정질 실리콘은 만족할 만한 결과를 보이며, 박막 자체의 면저항값도 낮출 수 있어 초고집적 회로의 캐패시터 전극으로서 이용될 수 있는 것으로 평가되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과

4. 고찰

5. 결론

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