GaAs / AlGaAs 양자세선의 전자기적 특성

이주인; 서정철; 이창명; 임재영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이주인 서정철 이창명 임재영

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제2호

발행연도: 2001.7

수록면: 262 - 266 (5page)

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GaAs/AlGaAs 이종접합구조 위에 split gate로 양자세선을 제작하여 Shubnikov de Haas 진동 및 양자 Hall 효과측정으로 1DEG의 전기적 특성을 관측하였다. Gate 전압이 증가할수록 채널폭이 좁아짐에 따라 1D 특성이 나타났다. Edge state 수송 이론인 Landauer-B?tikker formula로부터 QHE plateau와 SdH 진동의 최소값이 나타나는 자기장 영역이 일치하지 않고 있는 현상을 명확히 규명하였다.

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소속기관 한국진공학회(ASCT)

주요연구분야 자연과학 > 물리학

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주요연구분야 자연과학 > 물리학

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소속기관 한국진공학회(ASCT)

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