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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.6 No.1
- 발행연도
- 2002.6
- 수록면
- 8 - 11 (4page)
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Ni, Si and SiO₂ films were implanted by 350 keV Bi^+ ions at room temperature with fluences of 1×10^(16) and 2×10^(16) ions/㎤. The depth distributions of implanted Bi^+ ions in Ni, Si and SiO₂ films were by investigated by Rutherford backscattering. The results show that the depth distributions of implanted Bi^+ ions into Ni, Si and SiO₂ films have obeyed nearly Gaussian distributions. The maximum difference between experimental and calculated values is less than 18 % for mean projected range. Experimental range straggling deviated significantly from calculated value. The possible reasons are discussed.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussion
4. Summary
Acknowledgement
References
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