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논문 기본 정보
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- 학술저널
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- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.3 No.1
- 발행연도
- 1999.4
- 수록면
- 1 - 9 (9page)
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This paper presents a newly enhanced damage model in Monte Carlo (MC) simulation for the accurate prediction of 3-Dimensional (3D) as-implanted impurity and point defect profiles induced by ion implantation in (100) crystal silicon. An empirical electronic energy loss model for B, BF₂, As, P, and Si self implants over the wide energy range has been proposed for the ULSI device technology and development. Our model shows very good agreement with the SIMS data over the wide energy range. In the damage accumulation, we considered the self-annealing effects by introducing our proposed non-linear recombination probability function of each point defect for the computational efficiency. For the damage profiles, we compared the published RBS/channeling data with our results of phosphorus implants. Our damage model shows very reasonable agreement with the experiments for phosphorus implants.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Empirical Electronic Energy Loss Model in (100) Single - crystal Silicon
Ⅲ. Details of Dynamic Damage Model for 3D Ion Implantation Simulations
Ⅳ. Simulation Results
Ⅴ. Conclusions
Acknowledgement
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