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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제4호
발행연도
1993.12
수록면
399 - 403 (5page)

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Si(111)7×7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT~200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는(7×7)에서 diffused (1×1) 그리고 (2√3/3×2√3/3-R30°) 구조로 변화하였다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 (1×1), three domain (3×1) 등의 구조를 볼 수 있었고, 특히, 450℃의 기판온도에서는 single domain (3×1) 구조를 최초로 관측하였다. 이렇게 형성된 각 구조에 대한 Mg KLL과 Si2p의 XPS peak intensity ratio를 증착량의 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 성장에 대한 메카니즘을 제시하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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