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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제2호
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 57 - 62 (6page)
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Using intense pulsed ion beam evaporation technique, we have succeeded in the preparation of poly crystalline silicon thin films without impurities on silicon substrate. Good crystallinity and high deposition rate have been achieved without heating the substrate by using IBE. The crystallinity of poly-Si film has been improved with the high density of the ablation plasma. The intense diffraction peaks of poly-Si thin films could be obtained by using the substrate bias system. The crystallinity and the deposition rate of poly-Si thin films were increased by applying (-) bias voltage for the substrate.
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/ 1988. / Preparation and charac-teristics of ZnS thin films by intense pulsed ion beam 63 : 968 ~
/ 1994. / Appli-cations of intense pulsed ion beam to materials science Phys. of Plasmas 1 : 1730 ~
/ 1997. / Hydrogen elimination and phase transition in pulsed-gas plasma deposition of amorphous and micro-crystalline silicon 81 : 2847 ~
/ 1997. / Preparation of thin films and nanosize powders by intense 36 : 4928 ~
/ 1997. / Substrate bias effects on low temperature polycrystalline silicon formation using electron cyclotron resonance SiH4/H2 plasma 81 : 8035 ~
/ 1994. / Appli-cations of intense pulsed ion beam to materials science Phys. of Plasmas 1 : 1730 ~
/ 1997. / Hydrogen elimination and phase transition in pulsed-gas plasma deposition of amorphous and micro-crystalline silicon 81 : 2847 ~
/ 1997. / Preparation of thin films and nanosize powders by intense 36 : 4928 ~
/ 1997. / Substrate bias effects on low temperature polycrystalline silicon formation using electron cyclotron resonance SiH4/H2 plasma 81 : 8035 ~
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