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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 961 - 965 (5page)
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In this study, we investigated the optical, electrical, and structural properties of the IGZO(In2O3:Ga2O3:ZnO=1:9:90 wt.%) thin films prepared by RF-magnetron sputtering system under various substrate temperatures. All of the IGZO thin films shows an average transmittance of over the 80% in visible range. Most of all, deposited IGZO thin film at 100 oC substrate temperature have ZnO (002) of main growth peak and 17.02 nm of increased grains. And also IGZO thin film have low resistivity(1.35×10-3 Ω·cm), high carrier concentration(6.62X1020 cm-3) and mobility(80.1 cm2/Vsec). IGZO thin film have 2.08 mV at surface potential of electric force microscopy(EFM). We suggest that pre-annealing at 100 oC can be applied for improving optical, electrical and structural properties.
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