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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 910 - 917 (8page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
2013
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We have designed a new structures of Junction Field Effect Transistor(JFET) using SILVACO simulation to improve electrical properties and process reliability. The device structure and process conditions of Si control JFET(Si JFET) were determined to set cut off voltage and drain current(at Vg=0 V) to -0.46 V and 300 μA, respectively. Among many design parameters influencing the performance of the device, the drive-in time of p-type gate is presented most predominant effects. Therefore we newly designed SiGe JFET, in which SiGe layers were placed above and underneath of Si-channel. The presence of SiGe layer could lessen Boron into the n-type Si channel, so that it would be able to enhance the structural consistency of p-n-p junction. The influence of SiGe layer could be explained in conjunction with boron diffusion and corresponding I-V characteristics in comparison with Si-control JFET.
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참고문헌 (6)
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A.D.Evans / 1981 / Designing with Field-effect Transistors / Siliconix Inc., McGraw-Hill
B. G. Park / / Electrical properties of JFET using SiGe/Si/SiGe channel structure, (to be published)
E.S.Oxner / 1989 / FET Technology and Application / Siliconix
L.J.Sevin / 1965 / Field-effect Transistors / McGraw-Hill
M. Citterio / 1995 / Low noise monolithic Si-JFET's for operation in the 90-300 K range and in high radiation environments / Proc. Symp, Low Temp. Electronics and High Temp. Superc
B. G. Park / / Electrical properties of JFET using SiGe/Si/SiGe channel structure, (to be published)
E.S.Oxner / 1989 / FET Technology and Application / Siliconix
L.J.Sevin / 1965 / Field-effect Transistors / McGraw-Hill
M. Citterio / 1995 / Low noise monolithic Si-JFET's for operation in the 90-300 K range and in high radiation environments / Proc. Symp, Low Temp. Electronics and High Temp. Superc
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