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논문 기본 정보

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한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제11권 제1호
발행연도
2010.1
수록면
11 - 14 (4page)

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The interaction of –Al(CH3)2 with –OH on a fully OH-terminated Si (001) surface was studied using density functional theory. Two sites for Al(CH3)3 to react with the –OH on the surface were identified. The –Al(CH3)2 product energetically favored the dimer-row site rather than the inter-row site because the Al atom of –Al(CH3)2 at the dimer-row site was attracted by the lone pair electrons of the O atom in the neighboring –OH. The energy barrier for the transfer of the –Al(CH3)2 between the two sites was 0.11 eV, and therefore, the –Al(CH3)2 at the inter-row site can easily transfer to the dimer-row site at room temperature.
#Tri-methylaluminum #Di-methylaluminum #Atomic layer deposition #Si surface

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