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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제9호
발행연도
2008.1
수록면
853 - 858 (6page)

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The structure of organic light-emitting diodes(OLEDs) with typical heterostructure consists of anode, hole injection layer, hole transport layer, light-emitting layer, electron transport layer, electron injection layer, and cathode. 4,4bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-arnino]-biphenyl(NPB) used as a hole transport layer and 4'4-bis(2,2'-diphenyl vinyl)-1,1'-biphenyl(DPVBi) used as a blue light emitting layer were graded-mixed at selected ratio. Interface at heterojunction between the hole transport layer and the elecrtron transport layer restricts carrier's transfer. Mixing of the hole transport layer and the emitting layer reduces abrupt interface between the hole transport layer and the electron transport layer. The operating voltage of OLED devices with graded mixed-layer structure is 2.8 V at 1 cd/㎡ which is significantly lower than that of OLED device with typical heterostructure. The luminance of OLED devices with graded mixed-layer structure is 21,000 cd/㎡, which is much higher than that of OLED device with typical heterostructure. This indicates that the graded mixed-layer enhances the movement of carriers by reducing the discontinuity of highest occupied molecular orbital(HOMO) of the interface between hole transport layer and emitting layer.

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