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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 766 - 769 (4page)
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Zinc oxide (ZnO) nanowires were prepared on Si substrates by a thermal evaporation method at different temperatures and O₂ pressure. Microstructural analysis of the obtained ZnO nanowires was performed by using transmission electron microscopy(TEM) and scanning electron microscopy(SEM). Phase analysis was done using X-ray diffraction(XRD). As the deposition temperature and oxygen pressure were increased, the diameter and length of ZnO nanowires had a tendency to increase. Based on TEM and XRD analyses, the nanowires are single crystalline in nature and consist of a single phase. According to the measurements, the ZnO nanowires grown at 1100 ℃, Ar 50 sccm, O₂ 10 sccm have good properties.
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G.T. Wang / 2006 / Highly aligned, template-free growth and characterization of vertical GaN nanowires on sapphire by metal-organic chemical vapour deposition / Nanotechnolog
M. Kirkham / 2007 / Solid Au nanoparticles as a catalyst for growing aligned ZnO nanowires: a new understanding of the vapour-liquid- solid process / Nanotechnology 18 (36) :
N. Hamada / 1992 / New one-dimensional conductors: Graphitic microtubules / Phys. Rev. Lett 68 : 1579 ~
S.E. Ahn / 2004 / Photoresponse of sol-gel-synthesized ZnO nanorod / Appl. Phys. Lett 84 (24) : 5022 ~
Z. Fan / 2004 / ZnO nanowire field effect transistor and oxygen sensing property / Appl. Phys. Lett 85 (24) : 5923 ~
M. Kirkham / 2007 / Solid Au nanoparticles as a catalyst for growing aligned ZnO nanowires: a new understanding of the vapour-liquid- solid process / Nanotechnology 18 (36) :
N. Hamada / 1992 / New one-dimensional conductors: Graphitic microtubules / Phys. Rev. Lett 68 : 1579 ~
S.E. Ahn / 2004 / Photoresponse of sol-gel-synthesized ZnO nanorod / Appl. Phys. Lett 84 (24) : 5022 ~
Z. Fan / 2004 / ZnO nanowire field effect transistor and oxygen sensing property / Appl. Phys. Lett 85 (24) : 5923 ~
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