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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제4권 제5호
- 발행연도
- 2003.1
- 수록면
- 33 - 37 (5page)
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This study was performed to investigate the deposition mechanism of SiO2 by ArF excimer laser(193nm) CVD with Si2H6 and N2O gas mixture and evaluate laser CVD quantitatively by modeling. With ArF excimer laser CVD, thin films can be deposited at low temperature(below 300℃), with less damage and good uniformity owing to generation of conformal reaction species by singular wavelength of the laser beam. In this study, new model of SiO2 deposition process by laser CVD was introduced and deposition rate was simulated by computer with the basis on this modeling. And simulation results were compared with experimental results measured at various conditions such as reaction gas ratio, chamber pressure, substrate temperature and laser beam intensity.
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