Capacitance-Voltage (C-V) Characteristics of Cu/n-type InP Schottky Diodes

Hogyoung Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Hogyoung Kim

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제17권 제5호

발행연도: 2016.1

수록면: 293 - 296 (4page)

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Using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) measurements, the electrical properties of Cu/n-InP Schottky diodes were investigated. The values of C and G/ω were found to decrease with increasing frequency. The presence of interface states might cause excess capacitance, leading to frequency dispersion. The negativecapacitance was observed under a forward bias voltage, which may be due to contact injection, interface states orminority-carrier injection. The barrier heights from C-V measurements were found to depend on the frequency. Inparticular, the barrier height at 200 kHz was found to be 0.65 eV, which was similar to the flat band barrier height of0.66 eV.

#InP #Capacitance #Interface states

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Y. Wang / 2013 / Near resonant and nonresonant third-order optical nonlinearities of colloidal InP/ZnS quantum dots / Applied Physics Letters 102(2):021917

P. Cova / 1998 / Effect of doping on the forward current-transport mechanisms in a metal–insulator–semiconductor contact to InP:Zn grown by metal organic vapor phase epitaxy / Solid-State Electronics 42(4):477~485

A. Singh / 1990 / Temperature dependence of the electrical characteristics of Yb/p-InP tunnel metal-insulator-semiconductor junctions / Journal of Applied Physics 68(7):3475

S. Sze / 1981 / Physics of Semiconductor Devices / Wiley

Demet Korucu / 2013 / The origin of negative capacitance in Au/n-GaAs Schottky barrier diodes(SBDs) prepared by photolithography technique in the wide frequency range / Current Applied Physics 13(6):1101~1108

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