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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제3호
발행연도
2006.1
수록면
129 - 133 (5page)

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Ferroelectric PZT heterolayered thick films were fabricated by the alkoxide-based sol-gel method. PZT(20/80) and PZT(80/20) paste were made and alternately screen-printed on the alumina substrates. The coating and drying procedure was repeated 4 times to form the heterolayered thick films. The thickness of the PZT heterolayered thick films was approximately 60 μm. All PZT thick films showed the typical XRD patterns of a polycrystalline rhombohedral structure. And in the PZT thick films sintered at 1100 oC, the pyrochlore phase was observed due to the evaporation of PbO. The relative dielectric constant and the dielectric loss of the PZT thick films sintered at 1050 oC were 445.2 and 1.90 % at 1 kHz, respectively. The remanent polarization and coercive field of the PZT thick films sintered at 1050 oC were 14.15 mC/cm2 and 19.13 kV/cm, respectively.

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