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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제28권 제1호
발행연도
2015.1
수록면
7 - 11 (5page)

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Si3N4/SnZnO/AZO/Ag/Ti/ITO 다층막을 유리기판 위에 DC/RF magnetron sputtering 방식에 의해 제조하였다. Ag와 ITO 중간에 층간 산화에 의한 광 특성 저하를 방지하기 위하여 Ti 버퍼층을 삽입하였다. Si3N4/SnZnO/AZO/Ag/Ti/ITO 적층 횟수를 달리하며 광 특성을 체계적으로 연구하였다. 먼저 EMP시뮬레이션에 실시하여 광 특성을 사전 설계 후 실험 결과와 비교하고자 하였다. 첫 번째 적층한 Si3N4/SnZnO/AZO/Ag/Ti/ITO 다층막은 투과율이 90% 이상이 나왔지만 적층 횟수를 증가할수록 투과율은 나빠졌다. Ti막은 산화막으로 긍정적인 효과를 주지만 광학 특성에는 나쁜 영향을 미치는 것으로 나타났다.

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