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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 438 - 442 (5page)
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채널 길이가 줄어듦에 따른 PMOSFET에서의 NBTI (negative bias temperature instablilty) and CHC (channel hot carrier) 특성을 연구하였다. PMOSFET에서 핫캐리어 스트레스 이후의 수명이 NBTI 스트레스 이후의 수명보다 더 크다고 보고되어 왔다. 하지만 채널 길이가 짧은 PMOFET에서 NBTI 스트레스에 따른 열화보다 CHC 스트레스에 따른 열화가 더 크게 나타났다. 이러한 여화 특성을 분석하기 위해 플리커 잡음과 전하 펌핑 기술이 사용되었다.
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참고문헌 (19)
참고문헌 신청
B. Yan / 2008 / / Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technology(IEEE) 125
C. Chen / 1998 / / IEEE Trans. Electr. Dev. 45 : 512 ~
C. E. Blat / 1991 / / J. Appl. Physics 69 : 1712 ~
C. R. Parthasarathy / 2007 / / IEEE Trans. Dev. and Mat. Rel. 7 : 130 ~
C. R. Parthasarathy / 2007 / / Reliability Physics Symposium 2007. Proc. of 45th Annual 696
C. Chen / 1998 / / IEEE Trans. Electr. Dev. 45 : 512 ~
C. E. Blat / 1991 / / J. Appl. Physics 69 : 1712 ~
C. R. Parthasarathy / 2007 / / IEEE Trans. Dev. and Mat. Rel. 7 : 130 ~
C. R. Parthasarathy / 2007 / / Reliability Physics Symposium 2007. Proc. of 45th Annual 696
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