푸리에변환 적외선분광분석법에 의한 누설전류의발생 원인에 대한 연구

오데레사

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자료유형: 학술저널

저자정보: 오데레사

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제6호

발행연도: 2007.1

수록면: 514 - 519 (6page)

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The surfaces of SiO2 films were treated by PMMA diluted solutions, and analyzed the chemical shift from Fourier Transform Infrared Spectrometer. The SiO2 film treated by PMMA diluted solution changed the properties of the surface, and showed the blue and red shift according to the concentration of PMMA. The C-H bond elongation effect due to the high electro-negative atom chlorine showed the red shift, and makes the final material with the cross-link structure. The leakage current was efficiently reduced at the sample No 7 with the red shift, witch depends on the electron deficient group.

#PMMA #C=O bond #C=C bond #Si-O bond #Leakage current

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A. Grill / 2003 / Structure of low dielectric constant to extreme low dielectric constant SIOCH films: Fourier transform infrared spectroscopy characteri- zation / J. Appl.

C. A. Mead / 1962 / Electron transport mechanism in thin insulating films / Physical Review 128 : 2088 ~

D. J. Gundlach / 1997 / Pentacene organic thin-film transistors-molecular ordering and mobility / IEEE Electron Device Letters 18 : 87 ~

G. Galli / 1989 / Structural and electronic properties of amorphous carbon / Phys. Rev. Lett. 62 (5) : 555 ~

I. Kymissis / 2001 / High-performance bottom electrode organic thin-film transistors / IEEE Transactions on Electron Devices 48 : 1060 ~

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