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학술저널
저자정보
유병철 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과) 공수철 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과) 신익섭 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과) 신상배 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과) 이학민 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과) 박형호 (연세대학교 세라믹공학과) 전형탁 (한양대학교 신소재공학과) 장영철 (한국기술교육대학교 메카트로닉스공학과) 장호정 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제6권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
69 - 73 (5page)

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The MIM(metal-insulator-metal) capacitors with the Al/PMMA/ITO/Glass structures were manufactured according to various PMMA concentration of 1, 2, 4, 6, 8 wt%. The lowest leakage current and the largest capacitance were found to be 2.3 pA and 1.2 nF, respectively, for the device with 2 wt% PMMA concentration. The measured capacitance of the devices was almost same values with the calculated one. The optimum film thickness was obtained at the value of 48 nm, showing that the capacitance and leakage current were 1.92 nF, 0.3 pA at 2 wt%, respectively. From this experiment, the PMMA gate insulator films can be applicable to the organic thin film transistors.
#PMMA #Gate Insulator #OTFT #Capacitance #Leakage Current

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