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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 470 - 475 (6page)
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We deposited Al2O3 thin films on GaN by remote plasma atomic layer deposition (RPALD) technique. trimethylaluminum(TMA) and oxygen were used as precursors. at fixed process condition, the number of cycle were changed. Growth rate per cycle was 1.2 Å/cycle. and Growth rate was in proportion to a number of cycle. the GaN MIS capacitors that Al2O3 thin film were deposited above 12 nm, have excellent electrical properties, a low electrical leakage current density(~10-10 A/㎠ at 1.5 MV). but below 12 nm, we can see the degradation of the leakage current density. After post deposition annealing, Dielectric constant was estimated by 1 MHz high-frequency C-V method. it was varied with the anealing temperature from 6.9 at no post anealed to 7.6 at 800 ℃. and we can see a improvement of the leakage curent density and breakdown voltage by post deposition anealing below 700 ℃. but, after anealed at 800 ℃, we can see the degradation of the leakage curent density and breakdown voltage.
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B. Gaffey / 2001 / High-quality oxide/nitride/oxidegate insulator for GaN MIS structures / IEEE Electron Devices Lett. 48 (Issue3) : 458 ~
F. Ren / 1998 / Demonstration of GaN MIS diodes by using AlN and Ga2O3(Gd2O3)as dielectrics / Solid-State Electronics 42 (Issue12) : 2177 ~
H. C. Casey Jr / 1996 / Low interface trap density for remote plasma deposited SiO2 on n-type GaN / J. Appl. Phys. Lett. 68 (Issue13) : 1850 ~
J. W. Lim / 2004 / Electrical properties of alumina films by plasma-enhanced atomic layer deposition / Electrochem. Solid-State Lett. 7 (Issue8) : F45 ~
M. Hong / 2000 / Properties of Ga2O3(Gd2O3)/ GaN metal?insulator-semiconductor diodes / J. Vac. Sci. Technol. 18 (Issue3) : 1453 ~
F. Ren / 1998 / Demonstration of GaN MIS diodes by using AlN and Ga2O3(Gd2O3)as dielectrics / Solid-State Electronics 42 (Issue12) : 2177 ~
H. C. Casey Jr / 1996 / Low interface trap density for remote plasma deposited SiO2 on n-type GaN / J. Appl. Phys. Lett. 68 (Issue13) : 1850 ~
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M. Hong / 2000 / Properties of Ga2O3(Gd2O3)/ GaN metal?insulator-semiconductor diodes / J. Vac. Sci. Technol. 18 (Issue3) : 1453 ~
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