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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 350 - 355 (6page)
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Al2O3 thin films were deposited on GaN(0001) by using a Remote Plasma Atomic Layer Deposition(RPALD) technique with a trimethylaluminum(TMA) precursor and oxygen radicals in the temperature range of 25~500 ℃. The growth rate per cycle was varied with the substrate temperature from 1.8 Å/cycle at 25 ℃ to 0.8 Å/cycle at 500 ℃. The chemical structure of the Al₂O₃ thin films was studied using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The electrical properties of Al₂O₃/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) capacitor grown at a 300 ℃ process temperature were excellent, a low electrical leakage current density(~10-10 A/㎠ at 1 MV) at room temperature and a high dielectric constant of about 7.2 with a thinner oxide thickness of 12 nm. The interface trap density(Dit) was estimated using a high-frequency C-V method measured at 300 ℃. These results show that the RPALD technique is an excellent choice for depositing high-quality Al₂O₃ as a gate dielectric in GaN-based devices.
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B. Gaffey / 2001 / High-quality oxide/nitride/oxide gate insulator for GaN MIS structures / IEEE Electron Devices Lett 48 (Iss3) : 458 ~
C. Ostermaier / 2008 / Interface characterization of ALD deposited Al2O3 on GaN by CV method / Phys. Stat. Sol. 5 (6) : 1992 ~
F. Ren / 1998 / Demonstration of GaN MIS diodes by using AlN and Ga2O3(Gd2O3)as dielectrics / Solid-State Electronics 42 (Iss12) : 2177 ~
H. C. Casey Jr / 1996 / Low interface trap density for remote plasma deposited SiO2 on n-type GaN / J. Appl. Phys. Lett. 68 (Iss13) : 1850 ~
J. F Moulder / 1992 / Handbook of X-ray Photoelectron spectroscopy,Perkin-elmer Corporation / Eden Prairie : 55 ~
C. Ostermaier / 2008 / Interface characterization of ALD deposited Al2O3 on GaN by CV method / Phys. Stat. Sol. 5 (6) : 1992 ~
F. Ren / 1998 / Demonstration of GaN MIS diodes by using AlN and Ga2O3(Gd2O3)as dielectrics / Solid-State Electronics 42 (Iss12) : 2177 ~
H. C. Casey Jr / 1996 / Low interface trap density for remote plasma deposited SiO2 on n-type GaN / J. Appl. Phys. Lett. 68 (Iss13) : 1850 ~
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